AI 算力竞赛的聚光灯大多打在 GPU 和先进逻辑制程上，但真正容易卡脖子的环节里，存储从不缺席。HBM 之所以成为英伟达们绕不开的“配给品”，底层拼的仍然是最先进的 DRAM 工艺。日前韩媒 the bell 援引业内人士消息称，三星电子已将目标锁定在 2026 年 9 月率先完成 1d nm DRAM 的研发——在 1c nm 节点被老对手 SK 海力士抢了先之后，三星把翻盘的筹码压在了下一个节点上。
事件要点
根据报道披露的时间表，三星的规划相当紧凑：
- 2026 年 9 月：率先完成 1d nm DRAM 研发；
- 2026 年 12 月：进入量产转移阶段；
- 2027 年上半年：启动生产线建设；
- 2027 年底：实现首批量产。
与之对照，SK 海力士的 1d nm DRAM 目前处于热测试良率提升阶段，预计 2026 年 12 月完成研发。值得一提的是，SK 海力士此前已在业界率先完成 1c nm 节点 DRAM 的开发，三星此番在 1d nm 上力争“抢先手”，颇有在下个弯道夺回“技术领先”名头的意味。
报道同时指出，三星已定下为 HBM5E 内存导入 1d nm DRAM die 的目标，希望以提早完成的底层技术为后续 HBM 产品铺路。不过也需要泼一盆冷水：按业内人士的说法，两家的 1d nm 技术目前都处于较早期阶段，整体产品完成度距离量产目标仍有相当差距，时间表存在变数。
背景：“半代差”是怎么形成的
先厘清命名。“1d nm”并不是真的 1 纳米，DRAM 厂商在 1x/1y/1z 三代之后改用希腊字母标记代际（1α、1β、1γ、1δ，对应 1a/1b/1c/1d），实际指的是 10nm 级别工艺的持续微缩。每一代推进都伴随着 EUV 光刻层数增加、电容结构改造和漏电控制的极限拉扯，研发难度呈指数级上升，容错空间却越来越小。
三星曾是 DRAM 领域长期的技术领跑者，但这几年的剧本有些失控：1c nm 节点被 SK 海力士率先拿下；更痛的是 HBM 市场，SK 海力士凭借与英伟达的深度绑定吃下大头份额，三星的 HBM3E 客户认证则一波三折。对三星而言，1d nm 不只是“又一个节点”，而是一次重新讲“技术领先”故事的机会——尤其在 HBM4、HBM5 世代对底层 die 的速度、功耗、密度要求全面抬高的背景下，先进节点几乎等于高端 HBM 的入场券。提早三个月甚至半年完成研发，在客户技术评估和产线规划上都能争取主动。
影响：研发领先 ≠ 市场领先
冷静看这份时间表，有几个值得推敲的地方。
其一，“率先完成研发”的象征意义大于短期份额变化。DRAM 从研发完成到量产爬坡，中间隔着良率、设备与材料的多重关口。即便按计划 2026 年 9 月完成研发，2027 年底才能首批量产，真正的商业兑现要等一年以上。
其二，HBM 时代的竞争早已不只是制程数字的游戏。客户认证进度、供应链绑定深度、封装环节的协同（HBM4 起存储厂商与逻辑芯片厂商的接口合作越来越深）共同决定胜负。SK 海力士的优势不只在工艺，更在于生态位。
其三，对整个行业来说，两家在 1d nm 上的贴身竞速，客观上会加速先进产能释放。在 AI 数据中心对带宽与容量需求持续膨胀、存储市场处于上行周期的当下，下游服务器与消费电子厂商乐见供给端的技术迭代提速。
简短点评
半导体史上从不缺“下个节点见”的翻盘叙事，但存储行业的规律始终是：量产良率和客户订单，比时间表更能说明问题。三星押注 1d nm 抢回身位，策略逻辑上成立，与其纠结上一局的失利，不如全力赌下一个窗口期。但 HBM 时代客户绑定之深，意味着即便技术追平，后面还有一场硬仗要打。而对普通消费者，这场竞赛的最终出口，或许就藏在几年之后的内存价格曲线，以及旗舰手机和 PC 标配内存容量的悄然跃升里。