在硅片上「打深井」：长电 1.5μm 小孔径 TSV 试制成功，国产硅中介层补上一角
长电科技完成 1.5μm 孔径、11.3:1 深宽比 TSV 试制，向完整硅中介层制备能力迈近一步。AI 浪潮下，先进封装正从产业链配角变成主...
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长电科技完成 1.5μm 孔径、11.3:1 深宽比 TSV 试制，向完整硅中介层制备能力迈近一步。AI 浪潮下，先进封装正从产业链配角变成主...